规格书 |
IPx80N06S4-07 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 80A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 7.1 mOhm @ 80A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 40µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 56nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 4500pF @ 25V |
功率 - 最大 | 79W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
包装 | 3TO-263 |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 80 V |
最大连续漏极电流 | 80 A |
RDS -于 | 7.1@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 15 ns |
典型上升时间 | 3 ns |
典型关闭延迟时间 | 23 ns |
典型下降时间 | 5 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Surface Mount |
标准包装 | Rail / Tube |
P( TOT ) | 79W |
匹配代码 | IPB80N06S4-07 |
R( THJC ) | 1.9K/W |
LogicLevel | NO |
单位包 | 1000 |
标准的提前期 | 18 weeks |
最小起订量 | 1 |
Q(克) | 56nC |
LLRDS (上) | n.s.Ohm |
汽车 | AEC-Q(100) |
LLRDS (上)在 | n.s.V |
我(D ) | 80A |
V( DS ) | 60V |
技术 | OptiMOS T2 |
的RDS(on ) at10V | 0.0074Ohm |
无铅Defin | RoHS-conform |
FET特点 | Standard |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 80A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 40µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
供应商设备封装 | PG-TO263-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 7.1 mOhm @ 80A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 79W |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 4500pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 56nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
安装风格 | SMD/SMT |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | 20 V |
连续漏极电流 | 80 A |
系列 | IPB80N06S4 |
RDS(ON) | 7.1 mOhms |
功率耗散 | 79 W |
下降时间 | 5 ns |
最低工作温度 | - 55 C |
零件号别名 | IPB80N06S407ATMA1 SP000415568 |
上升时间 | 3 ns |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 60 V |
RoHS | RoHS Compliant |
栅极电荷Qg | 43 nC |
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